金剛石厚膜焊接刀具
磨料磨具中CVD金剛石厚膜焊接刀具是先把切割好的CVD金剛石厚膜一次焊接至基體(通常為K類硬質合金)上,形成復合片,然后拋光復合片,二次焊接至刀體上,刃磨成需要的形狀和刃口。
制造工藝流程:高品質的CVD金剛石膜的制備→激光切割→一次焊接成復合片→復合片拋光→二次焊接至刀體上→刃磨→檢驗。關鍵工序,如切割,焊接,拋光和刃磨等。
絲的溫度越高,越有利于金剛石的生長
目前,用于制作熱絲的是否應該是v額鎢、鉭和錸。鎢絲便宜,鉭絲、錸絲相對較貴,鉭絲的高溫性能好于鎢絲。但這種方法只能在金屬鍍層厚度低于金剛石顆粒直徑的情況下才能使用。熱絲再沉積金剛石膜前必須被碳化,絲溫度在1800℃~2400℃之間,用鉭絲時頂點溫度可達2400℃,而用鎢絲則一般溫度在2000℃~2200℃之間。
一般來說,絲的溫度越高,越有利于金剛石的生長,因為熱絲是分解混合氣體的能量來源,絲的溫度越高,產生的氫原子和含碳活性基團就越多,促使金剛石生長,當絲的溫度低于1800℃時,很難生長金剛石,但是絲的溫度過高將導致絲壽命短,絲材蒸發嚴重,對金剛石膜有污染。DLC膜具有優異的耐磨性、低摩擦系數,是一種優異的表面抗磨損改性膜。
沉積金剛石薄膜的機理至今尚無定論
磨料磨具中低溫低壓下CVD法沉積金剛石薄膜的機理至今尚無定論,仍是今后的研究方向之一。晶體的形成分為兩個階段,早階段稱為晶體成核階段,第二階段晶體生長階段。超高真空中發現,DLC膜中氫的含量超過40%門限時能獲得很低的摩擦系數,但過多的氫存在將降低膜與機體的結合力和表面硬度,使內應力增大。早階段含碳的氣源在合適的工藝參數下,在沉積基體上形成一定數量的孤立的金剛石晶核;第二階段,金剛石晶核不斷長大,并連成一片,覆蓋整個基體的表面,再沿垂直方向生長,形成一定厚度的金剛石膜。
在早階段主要目的是盡快的在基體表面上形成金剛石晶核,并能有效的控制金剛石的密度,要大限度的提高金剛石的形核密度;在第二階段主要目的是讓已形核的金剛石長大,并能有效的控制金剛石膜的生長速度和質量。